Evo ti nešto i ja pišem na istu temu... Nisam još završila i ja tražim pomoć
Princip rada dinamičke RAM memorije – DRAM
Da bi se realizovala memorija sa većom gustinom pakovanja konstruisana je memorija sa samo jednim tranzistorom i jednim kondenzatorom po memorijskoj ćeliji. Ovakva memorija bazira pamćenje informacije na električnom punjenju kondenzatora. Na slici je prikazana jedna ćelija DRAM memorije, kod koje se informacija pamti na taj način što se prilikom upisa, na liniju ″selekcija kolone″ dovede ili napon VDD ili logička 0, a kada se selektuje red, MOSFET tranzistor postaje provodan tako da se kondenzator CM napuni na napon VDD ili se isprazni na 0V. Prilikom čitanja memorijiske ćelije, takođe se selektuje red tako da se, kroz provodni tranzistor, napon sa kondenzatora CM prenosi na liniju selekcije kolone i može se pročitati. Da bi se postigla velika gustina pakovanja, kondenzator u memorijskim ćelijama je veoma malih dimenzija, pa je i kapacitivnost kondenzatora veoma mala reda (10-13F). Kada bi otpornost MOS tranzistota, za vreme dok je neprovodan, bila beskonačno velika, napon na kondenzatoru bi ostao nepromenjen sve do ponovne selekcije reda. Zbog konačne otpornosti neprovodnog MOS tranzistora, a i zbog male kapacitivnosti kondenzatora CM, zapamćeni napon na kondenzatoru, kada je zapamćena logička 1, eksponencijalno opada i nakon nekoliko ms, zapamćena informacija bi se izgubila. Da se ovo ne bi dogodilo, svakih 2-4 ms, treba ponovo upisivati informaciju u memorijsku ćeliju. Ponovni upis se naziva "osvežavanje" sadržaja, a RAM memorija koja sadrži ćelije kojima je nephodno periodično osvežavanje se naziva dinamička RAM (DRAM) memorija.
Pošto se jedan bit podatka pamti samo sa jednim tranzistorom i jednim kondenzatorom, za razliku od statičke RAM memorije koja za pamćenje jednog bita koristi četiri do šest tranzistora, dinamička RAM memorija je jednostavnija za proizvodnju, može gušće da se pakuje i osetno je jeftinija. Sa druge strane dinamički RAM je sporiji od statičkog, i mora se povremeno "osvežavati" pošto se kondenzatori koji čine ćelije podataka isprazne svaki put kada se podatak pročita.
Princip rada statičke RAM memorije – SRAM
Osnovna memorijska ćelija u statičkoj RAM matrici je flip flop, čiji je sadržaj statičan, tj. veličina signala (napona) u ćeliji se ne menja u toku vremena, pa nije potrebno da se obnavlja (zadržava podatke bez spoljašnjeg "osvežavanja" dokle god je priključeno napajanje, po čemu se razlikuje od dinamičkog RAM-a koji se mora "osvežavati" puno puta u toku svake sekunde da se podaci ne bi izgubili).
Na slici je prikazana jedna ćelija bipolarne statičke RAM memorije, koja ima jednostavan ulaz radi upisa, i jednostavan izlaz radi očitavanja memorisanog podatka. Ovom memorijskom kolu može se pristupiti samo kada je pobuđen njegov priključak X za adresiranje. Pristup ulazu i izlazu je preko istog priključka Č/U, što znači, da se ovim priključkom obavlja i čitanje i upis. Upis informacije sa ulazu UL vrši se kada je X = 1 i Č/U = 1. Čitanje upisanog sadržaja na izlazu vrši se kada su X = 1 i Č/U = 0. Invertor u ćeliji omogućava upis podatka bez prethodnog brisanja sadržaja SR leč kola. Ovde se umesto prikazanog SR leč kola može upotrebiti i D flip flop ili bilo koji drugi. Na istoj slici je prikazan i simbol jedne ćelije SRAM memorije (MC), za linearno adresiranje sa adresnim ulazom X.
Statičke RAM memorije se realizuju i u MOSFET tehnologiji, ili u CMOS tehnologiji. Prema tome, princip rada ovih memorija je isti kao i bipolarnih, ali su tehnologije izrade, a time i karakteristike drugačije. Bipolarne memorije su brže ali znatno manjeg kapaciteta, a najbrže se izrađuju u ECL tehnici gde vreme pristupa može biti i manje od 10ns.
Na slici je prikazana šema ćelije sa 6 MOSFET-ova, od kojih se prva 4 koriste kao memorijsko kolo, a MOSFET-ovi 5 i 6 služe za spregu tog kola sa vodovima za podatke Z i Z komplement. Adresu ove ćelije čine dve koordinate X i Y. Dok adresa X utiče na ćeliju MC direktno preko MOSFETA 5 i 6, koji pripadaju ćeliji, dotle koordinata Y deluje posredno preko MOSFET-a 7 i 8, koji su postavljeni u vodove podataka Z i Z po komplementu. To znači da su ovi MOSFET-ovi zajednički za sve ćelije koje su priključene na iste vodove podataka. Svaka ćelija se adresira posebno vrednostima Xi Yi. Upisivanje podataka u ćeliju vrši se preko priključka ULAZ, aktiviranjem komande za upis (UP). S obzirom na to da visoki naponi na adresnim vodovima X = 1, i Y = 1, omogućavaju provođenje MOSFET-ova 5 i 6, kao i MOSFET-ova 7 i 8, ulazni signal će biti doveden na gejt MOSFET-a 2. Ako ulazni signal ima visoki naponski nivo, MOSFET 2, provodi čime se blokira MOSFET 1. Prema tome, ako je ulazni podatak koji se upisuje 1, na izlazu Q se uspostavlja komplement tj logička 0. Čitanje memorisanog podatka vrši se tako što se prvo aktiviraju adresni vodovi dovođenjem X = 1 i Y = 1, a odmah zatim se postavlja i komanda čitanje ČT na naponski nivo logičke 1. Time se izlaz Q, ćelije MC, vezuje na ulaz invertora MOSFETA 11. Pošto napon u tački Q odgovara logičkoj 0, to se na izlazu invertora, a time i na izlazu memorije, dobija logička 1, tj. ona vrednost koja je uneta u ćeliju pri upisivanju. U slučaju zahteva za malom disipacijom, umesto MOS tranzistora u memorijskoj ćeliji se mogu upotrebiti CMOS tranzistori.
Statičke memorije su manjeg kapaciteta po čipu, a koriste se u sistemima gde se zahteva veća brzina pristupa memoriji i manja potrošnja struje iz izvora za napajanje. Takođe je verovatnoća greške kod statičkih memorija manja nego kod dinamičkih, tako da se koriste u sistemima gde se zahteva visoka pouzdanost.
Pošto je brzina procesora značajno prevazišla brzinu memorije, računari koriste jedan ili više nivoa Cache memorije. memorija je mali blok brze memorije smeštene između procesora i glavne memorije. Prema tome memorija ima ulogu posrednika između glavne memorije i procesora.
Ovo rešenje da se koristi memorija između procesora i glavne memorije, sa pratećom elektronikom osigurava da se sledeći podatak koji je potreban procesoru u što većem procentu slučajeva već nalazi u memoriji. se danas izrađuje u više nivoa, koji redom imaju sve veći kapacitet (ali sve manju brzinu pristupa) kako su postavljeni dalje od procesora. Ovakva organizacija memorijske hijerarhije se ustalila jer pruža vrlo dobre performanse računara uz prihvatljivu cenu.
Primarni , ili prvog nivoa (eng. Level 1 cache), nalazi se na procesoru i služi za privremeni smeštaj instrukcija i podataka. Ovo je najbrži vid memorijskog prostora koji postoji u računaru (brži pristup imaju samo procesorski registri). Primarni je uvek ugrađen na procesorski čip, i podeljen je na instrukcijski i za podatke. Primarni je ograničen po veličini - u početku je standarna veličina primarnog a bila 16kB, a potom je povećana na 32kB i kasnije na 64 kB. Primarni izrađuje se isključivo od SRAM čipova koji su izuzetno brzi, i podaci u njima se ne moraju osvežavati, ali su zato skuplji od DRAM-a, i zauzimaju više prostora. Međutim, za potrebe memorije najvažnija je izuzetna brzina, a pošto je ona mala po kapacitetu onda cena i veličina nisu veliki probem.
Sekundarni , ili drugog nivoa (eng. Level 2 cache) koristi istu kontrolnu logiku kao i primarni i takođe se izrađuje pomoću SRAM čipova da bi se postigla maksimalna moguća brzina. Na današnjim procesorima on se nalazi integrisan unutar procesorskog kućišta. Ranije se sekundarni nalazio ili zalemljen na matičnoj ploči, ili se na nju dodavao u posebne slotove. Cilj sekundarnog a je da isporuči podatke procesoru bez ijednog stanja čekanja
Koliko je memorija važna za efikasan rada računara najbolje pokazuje kompanija Intel. Ova kompanija je na svom čipu ugradila i treći nivo memorije (eng.Level 3 cache), veličine od čak 4 MB. On se, zajedno sa pratećom logikom, nalazi ugrađen unutar procesorskog kućišta da bi komunikacija sa procesorom bila što je moguće brža. Treći nivo a je dodat da bi se eliminisalo usko grlo u komunikaciji procesor - memorija, koje predstavlja jedan od najvećih problema pri projektovanju aktuelnih računarskih sistema.
Po vrsti tranzistora koji koriste:
• Bipolarna vrsta tranzistora – koriste TTL i ECL
• MOSFET – korišten u CMOS
Stranice:
http://www.ptt.yu/korisnici/d/m/dmatejic/index.htm
http://www.ptt.yu/korisnici/d/m/dmatejic/new_page_3.htm
Kad uradim nešto više poslaću